Name: Uno Strumento di Struttura Elettronica per Principianti: Analisi Teorica Della Struttura a Bande del Conduttore, Dell'isolante Semiconduttore (en Italiano)
Price: 192997.00 COP
Availability: InStock
Author: D. S. Jayalakshmi; R. Manoj
ISBN: 9786208186128

portada Uno Strumento di Struttura Elettronica per Principianti: Analisi Teorica Della Struttura a Bande del Conduttore, Dell'isolante Semiconduttore (en Italiano)

Uno Strumento di Struttura Elettronica per Principianti: Analisi Teorica Della Struttura a Bande del Conduttore, Dell'isolante Semiconduttore (en Italiano)

Formato

Libro Físico

Editorial

Edizioni Sapienza

Autor

D. S. Jayalakshmi; R. Manoj

Idioma

Italiano

N° páginas

Encuadernación

Tapa Blanda

ISBN13

9786208186128

Uno Strumento di Struttura Elettronica per Principianti: Analisi Teorica Della Struttura a Bande del Conduttore, Dell'isolante Semiconduttore (en Italiano)

D. S. Jayalakshmi; R. Manoj (Autor) · Edizioni Sapienza · Tapa Blanda

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Reseña del libro "Uno Strumento di Struttura Elettronica per Principianti: Analisi Teorica Della Struttura a Bande del Conduttore, Dell'isolante Semiconduttore (en Italiano)"

Il conduttore, il semiconduttore (banda gap diretta e indiretta) e l'isolante svolgono un ruolo importante nei campi di ricerca della fisica e dei materiali. Quasi tutti i materiali hanno qualche tipo di proprietà elettronica. Abbiamo eseguito il calcolo per studiare la struttura a bande e la densità di stato (DoS) utilizzando il codice WIEN nel metodo della teoria funzionale della densità (DFT). In questo lavoro, il calcolo della struttura a bande viene eseguito per manganese (Mn), silicio (Si)-banda gap indiretta, indio fosforo (In-P) banda gap diretta e bromo (Br) che concordano strettamente con i risultati sperimentali disponibili. Inoltre, dallo studio della densità di stato totale e parziale di Mn, vSi, In-P e Br si osserva che i materiali sono conduttore, semiconduttore (banda gap indiretta e diretta) e isolante. Inizialmente la struttura viene ottimizzata con i parametri reticolari esistenti e le proprietà elettroniche vengono determinate per la struttura ottimizzata. Il profilo di banda e gli istogrammi DoS suggeriscono la mobilità degli elettroni dalla banda di valenza alla banda di conduzione. Viene esplorato il divario energetico esistente/inesistente tra la banda di valenza e quella di conduzione, in relazione alla natura conduttiva dei materiali segnalati.