Name: Atomic Scale Characterization and First-Principles Studies of Si₃n₄ Interfaces (en Inglés)
Price: 558587.00 COP
Availability: InStock
Author: Walkosz, Weronika
ISBN: 9781461428572

portada Atomic Scale Characterization and First-Principles Studies of Si₃n₄ Interfaces (en Inglés)

Formato

Libro Físico

Autor

Weronika Walkosz

Editorial

Springer

Idioma

Inglés

N° páginas

110

Encuadernación

Tapa Blanda

Dimensiones

23.4 x 15.6 x 0.7 cm

Peso

0.19 kg.

ISBN13

9781461428572

Categorías

Física atómica y molecular
Química física
Tecnología de la cerámica y el vidrio

Atomic Scale Characterization and First-Principles Studies of Si₃n₄ Interfaces (en Inglés)

Weronika Walkosz (Autor) · Springer · Tapa Blanda

Libro Nuevo

$ 558.587

$ 930.978

Ahorras: $ 372.391

40% descuento

Envío normal

Origen: Estados Unidos (Costos de importación incluídos en el precio)

Se enviará desde nuestra bodega entre el Martes 30 de Julio y el Martes 13 de Agosto.

Lo recibirás en cualquier lugar de Colombia entre 1 y 5 días hábiles luego del envío.

Reseña del libro "Atomic Scale Characterization and First-Principles Studies of Si₃n₄ Interfaces (en Inglés)"

This thesis presents results from a combined atomic-resolution Z-contrast and annular bright-field imaging and electron energy loss spectroscopy in the Scanning Transmission Electron Microscopy, as well as first principles studies of the interfaces between crystalline β-Si3N4 and amorphous (i) CeO2-x as well as (ii) SiO2 intergranular film (IGF). These interfaces are of a great fundamental and technological interest because they play an important role in the microstructural evolution and mechanical properties of Si3N4 ceramics used in many high temperature and pressure applications. The main contribution of this work is its detailed description of the bonding characteristics of light atoms, in particular oxygen and nitrogen, at these interfaces, which has not been achieved before. The atomic-scale information on the arrangement of both light and heavy atoms is critical for realistic modeling of interface properties, such as interface strength and ion transport, and will facilitate increased control over the performance of ceramic and semiconductor materials for a wide-range of applications.