Name: Materials Science and Technology for Nonvolatile Memories: Volume 1071 (Mrs Proceedings) (en Inglés)
Price: 147372.00 COP
Availability: InStock
Author: Wouters, Dirk J. ; Hong, Seungbum ; Soss, Steven
ISBN: 9781107408531

portada Materials Science and Technology for Nonvolatile Memories: Volume 1071 (Mrs Proceedings) (en Inglés)

Formato

Libro Físico

Ilustrado por

Dirk J. Wouters

Seungbum Hong

Steven Soss

Editorial

Cambridge University Press

Autor

Wouters, Dirk J. ; Hong, Seungbum ; Soss, Steven

Año

2014

Idioma

Inglés

N° páginas

240

Encuadernación

Tapa Blanda

Dimensiones

22.9 x 15.2 x 1.3 cm

Peso

0.33 kg.

ISBN13

9781107408531

N° edición

Categorías

Ciencia de materiales
Ingeniería electrónica
Ciencias de la computación

Materials Science and Technology for Nonvolatile Memories: Volume 1071 (Mrs Proceedings) (en Inglés)

Dirk J. Wouters (Ilustrado por) · Seungbum Hong (Ilustrado por) · Steven Soss (Ilustrado por) · Cambridge University Press · Tapa Blanda

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Reseña del libro "Materials Science and Technology for Nonvolatile Memories: Volume 1071 (Mrs Proceedings) (en Inglés)"

Nonvolatile memories are becoming an increasingly important electronic component, due to the ever-increasing need for data storage in multimedia and other mobile applications where electronic components are replacing magnetic hard drives. Today, Flash is the main nonvolatile memory technology, but further scaling of this technology will likely be restricted by important physical and material limitations. This explains recent increased research on new concepts for nonvolatile memories, for which new developments in materials science and technology, the focus of this book, are key. Chapters include Advanced Flash Memory which deals with solutions for scaled Flash memory, including the use of new high-k layers and nanocrystals. Resistive switching concepts are discussed in the Oxide Resistive Switching Memory and Organic Resistive Switching Memory chapters. More research on polymer memories are detailed in Nanoparticle-Based Organic Memory and Organic Ferroelectric Memory. Two chapters deal with New Phase Change Memory and Deposition Methods and Future Explorative Memory Concepts, including piezoelectric, ferroelectric and ferromagnetic concepts.