Name: Nonlinear Spatio-Temporal Dynamics and Chaos in Semiconductors (Cambridge Nonlinear Science Series) (en Inglés)
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Availability: InStock
Author: Schöll, Eckehard
ISBN: 9780521017893

portada Nonlinear Spatio-Temporal Dynamics and Chaos in Semiconductors (Cambridge Nonlinear Science Series) (en Inglés)

Nonlinear Spatio-Temporal Dynamics and Chaos in Semiconductors (Cambridge Nonlinear Science Series) (en Inglés)

Formato

Libro Físico

Autor

Eckehard Schöll

Editorial

Cambridge University Press

Año

2005

Idioma

Inglés

N° páginas

424

Encuadernación

Tapa Blanda

Dimensiones

24.4x17x2.2 cm

Peso

0.67 kg.

ISBN

0521017890

ISBN13

9780521017893

Categorías

Medicina: cuestiones generales
Ciencia de materiales
Dispositivos y materiales electrónicos

Nonlinear Spatio-Temporal Dynamics and Chaos in Semiconductors (Cambridge Nonlinear Science Series) (en Inglés)

Eckehard Schöll (Autor) · Cambridge University Press · Tapa Blanda

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Reseña del libro "Nonlinear Spatio-Temporal Dynamics and Chaos in Semiconductors (Cambridge Nonlinear Science Series) (en Inglés)"

Nonlinear transport phenomena are an increasingly important aspect of modern semiconductor research. This volume deals with complex nonlinear dynamics, pattern formation, and chaotic behavior in such systems. It bridges the gap between two well-established fields: the theory of dynamic systems and nonlinear charge transport in semiconductors. This unified approach helps reveal important electronic transport instabilities. The initial chapters lay a general framework for the theoretical description of nonlinear self-organized spatio-temporal patterns, such as current filaments, field domains, fronts, and analysis of their stability. Later chapters consider important model systems in detail: impact ionization induced impurity breakdown, Hall instabilities, superlattices, and low-dimensional structures. State-of-the-art results include chaos control, spatio-temporal chaos, multistability, pattern selection, activator-inhibitor kinetics, and global coupling, linking fundamental issues to electronic device applications. This book will be of great value to semiconductor physicists and nonlinear scientists alike.