Name: Research on Chemical Mechanical Polishing Mechanism of Novel Diffusion Barrier Ru for Cu Interconnect (en Inglés)
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Availability: InStock
Author: Cheng, Jie
ISBN: 9789811355851

portada Research on Chemical Mechanical Polishing Mechanism of Novel Diffusion Barrier Ru for Cu Interconnect (en Inglés)

Research on Chemical Mechanical Polishing Mechanism of Novel Diffusion Barrier Ru for Cu Interconnect (en Inglés)

Formato

Libro Físico

Autor

Jie Cheng

Editorial

Springer

Idioma

Inglés

N° páginas

137

Encuadernación

Tapa Blanda

Dimensiones

23.4x15.6x0.8 cm

Peso

0.23 kg.

ISBN13

9789811355851

Categorías

Química industrial y tecnologías manufactureras
Ingeniería aplicada de revestimientos de superficies, capas y películas
Ingeniería electrónica

Research on Chemical Mechanical Polishing Mechanism of Novel Diffusion Barrier Ru for Cu Interconnect (en Inglés)

Jie Cheng (Autor) · Springer · Tapa Blanda

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Reseña del libro "Research on Chemical Mechanical Polishing Mechanism of Novel Diffusion Barrier Ru for Cu Interconnect (en Inglés)"

This thesis addresses selected unsolved problems in the chemical mechanical polishing process (CMP) for integrated circuits using ruthenium (Ru) as a novel barrier layer material. Pursuing a systematic approach to resolve the remaining critical issues in the CMP, it first investigates the tribocorrosion properties and the material removal mechanisms of copper (Cu) and Ru in KIO4-based slurry. The thesis subsequently studies Cu/Ru galvanic corrosion from a new micro and in-situ perspective, and on this basis, seeks ways to mitigate corrosion using different slurry additives. The findings presented here constitute a significant advance in fundamental and technical investigations into the CMP, while also laying the groundwork for future research.